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参数资料
| 型号： | FDMA410NZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-MICROFET |
| 产品目录绘图： | MicroFET 2x2, SC-75 Single |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 9.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1080pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-MicroFET（2x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMA410NZDKR |
January 2014
FDMA410NZ
Single N-Channel 1.5 V Specified PowerTrench ? MOSFET
20 V, 9.5 A, 23 m
Features
General Description
Max r DS(on) = 23 m
Max r DS(on) = 29 m
Max r DS(on) = 36 m
Max r DS(on) = 50 m
at V GS = 4.5 V, I D = 9.5 A
at V GS = 2.5 V, I D = 8.0 A
at V GS = 1.8 V, I D = 4.0 A
at V GS = 1.5 V, I D = 2.0 A
This Single N-Channel MOSFET has been designed using
Fairchild Semiconductor’s advanced Power Trench process to
optimize the r DS(ON) @ V GS = 1.5 V on special MicroFET
leadframe.
Applications
HBM ESD protection level > 2.5 kV (Note 3)
Low Profile-0.8 mm maximum in the new package MicroFET
2x2 mm
Free from halogenated compounds and antimony oxides
RoHS Compliant
Li-lon Battery Pack
Baseband Switch
Load Switch
DC-DC Conversion
Pin 1
D
D
G
Bottom Drain Contact
Drain
Source
D
D
G
1
2
3
6
5
4
D
D
S
D
D
S
MicroFET 2X2 (Bottom View)
MOSFET Maximum Ratings T A = 25 °C unless otherwise noted
Symbol
V DS
V GS
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Parameter
Ratings
20
±8
Units
V
V
I D
P D
-Continuous
-Pulsed
Power Dissipation
Power Dissipation
T A = 25 °C
T A = 25 °C
T A = 25 °C
(Note 1a)
(Note 1a)
(Note 1b)
9.5
24
2.4
0.9
A
W
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
°C
Thermal Characteristics
R
R
JA
JA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Thermal Resistance, Junction to Ambient
(Note 1a)
(Note 1b)
52
145
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
410
Device
FDMA410NZ
Package
MicroFET 2X2
Reel Size
7 ’’
Tape Width
8 mm
Quantity
3000 units
?2009Fairchild Semiconductor Corporation
FDMA410NZ Rev.B3
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMA420NZ | 功能描述:MOSFET 20V 5.7A 30OHM SINGLE NCH 2.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMA420NZ_0609 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET 20V, 5.7A, 30mз |
| FDMA420NZ_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench㈢ MOSFET 20V, 5.7A, 30mヘ |
| FDMA430NZ | 功能描述:MOSFET 2.5V SINGLE NCH SPECIFIED POWER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMA430NZ | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
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