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参数资料
| 型号： | FDMA410NZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-MICROFET |
| 产品目录绘图： | MicroFET 2x2, SC-75 Single |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 9.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1080pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-MicroFET（2x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMA410NZDKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
24
4.0
20
V GS = 4.5 V
V GS = 3.5 V
3.5
V GS = 1.2 V
PULSE DURATION = 80 s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
16
V GS = 2.5 V
V GS = 1.8 V
V GS = 1.5 V
3.0
2.5
V GS = 1.5 V
12
2.0
V GS = 1.8 V
8
4
PULSE DURATION = 80 s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
V GS = 1.2 V
1.5
1.0
V GS = 2.5 V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0.5
0
4
8
V GS = 3.5 V V GS = 4.5 V
12 16 20
24
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
1.6
I D = 9.5 A
V GS = 4.5 V
60
I D = 4.75 A
PULSE DURATION = 80 s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
1.4
1.2
1.0
0.8
50
40
30
20
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0.6
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
10
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On- Resistance
vs Junction Temperature
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
24
PULSE DURATION = 80 s
30
20
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
10
V GS = 0 V
V DS = 5 V
16
1
T J = 125 o C
12
T J = 125 o C
0.1
T J = 25 o C
8
4
T J = 25 o C
0.01
T J = -55 o C
T J = -55 o C
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2009Fairchild Semiconductor Corporation
FDMA410NZ Rev.B3
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMA420NZ | MOSFET N-CH 20V 5.7A MICROFET |
| FDMA430NZ | MOSFET N-CH 30V 5A MICROFET |
| FDMA507PZ | MOSFET P-CH 20V 6-MICROFET |
| FDMA510PZ | MOSFET P-CH 20V 7.8A 6-MICROFET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMA420NZ | 功能描述:MOSFET 20V 5.7A 30OHM SINGLE NCH 2.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMA420NZ_0609 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET 20V, 5.7A, 30mз |
| FDMA420NZ_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench㈢ MOSFET 20V, 5.7A, 30mヘ |
| FDMA430NZ | 功能描述:MOSFET 2.5V SINGLE NCH SPECIFIED POWER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMA430NZ | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
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