- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录419 > FDMA520PZ (Fairchild Semiconductor)MOSFET P-CH 20V 7.3A MLP2X2 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDMA520PZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 7.3A MLP2X2 |
| 产品目录绘图： | MicroFET 2x2, SC-75 Single |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫欧 @ 7.3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1645pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | MicroFET 2x2 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMA520PZDKR |
April 2009
FDMA520PZ
Single P-Channel PowerTrench ? MOSFET
–20V, –7.3A, 30m
tm
Features
General Description
Max r DS(on) = 30m
Max r DS(on) = 53m
at V GS = –4.5V, I D = –7.3A
at V GS = –2.5V, I D = –5.5A
This device is designed specifically for battery charge or load
switching in cellular handset and other ultraportable applications.
It features a MOSFET with low on-state resistance.
Low profile - 0.8mm maximum - in the new package MicroFET
2X2 mm
HBM ESD protection level > 3k V typical (Note 3)
Free from halogenated compounds and antimony oxides
RoHS Compliant
The MicroFET 2X2 package offers exceptional thermal
performance for its physical size and is well suited to linear mode
applications.
Pin 1
D
D
G
Bottom Drain Contact
Drain
Source
D
D
G
1
2
3
6
5
4
D
D
S
D
D
S
MicroFET 2X2 (Bottom View)
MOSFET Maximum Ratings T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DS
V GS
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Parameter
Ratings
–20
±12
Units
V
V
I D
Drain Current
-Continuous
-Pulsed
(Note 1a)
–7.3
–24
A
P D
T J , T STG
Power Dissipation
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature Range
(Note 1a)
(Note 1b)
2.4
0.9
–55 to +150
W
° C
Thermal Characteristics
R
R
JA
JA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Thermal Resistance, Junction to Ambient
(Note 1a)
(Note 1b)
52
145
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
520
Device
FDMA520PZ
Package
MicroFET 2X2
Reel Size
7’’
Tape Width
8mm
Quantity
3000 units
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMA520PZ Rev.B2
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMA530PZ | MOSFET P-CH 30V 6.8A MLP2X2 |
| FDMA6023PZT | MOSFET P-CH DUAL 20V 6MICROFET |
| FDMA7630 | MOSFET N-CH 30V 6-MICROFET |
| FDMA7632 | MOSFET N-CH 30V 9A MICROFET2X2 |
| FDMA7670 | MOSFET N-CH 30V 6-MLP 2X2 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMA520PZ_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Single P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET -20V, -7.3A, 30mヘ |
| FDMA530PZ | 功能描述:MOSFET -30V P-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMA530PZ_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Single P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| FDMA6023PZT | 功能描述:MOSFET Dual P-Ch, -20V PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMA7628 | 功能描述:MOSFET Snlg PT4, N 20/8V in MLP 2.05x2.05 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。