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参数资料
| 型号： | FDMA530PZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 6.8A MLP2X2 |
| 产品目录绘图： | MicroFET 2x2, SC-75 Single |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 6.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 24nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1070pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | MicroFET 2x2 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMA530PZDKR |
FDMA530PZ
Single P-Channel PowerTrench ? MOSFET
–30V, –6.8A, 35m Ω
tm
June 20 11
Features
Max r DS(on) = 35m Ω at V GS = –10V, I D = –6.8A
Max r DS(on) = 65m Ω at V GS = –4.5V, I D = –5.0A
Low profile - 0.8mm maximum - in the new package MicroFET
2X2 mm
HBM ESD protection level > 3k V typical (Note 3)
Free from halogenated compounds and antimony oxides
RoHS Compliant
General Description
This device is designed specifically for battery charge or load
switching in cellular handset and other ultraportable
applications . It features a MOSFET with low on-state resistance.
The MicroFET 2X2 package offers exceptional thermal
performance for its physical size and is well suited to linear mode
applications.
Pin 1
D
D
G
Bottom Drain Contact
Drain
Source
D
D
G
1
2
3
6
5
4
D
D
S
D
D
S
MicroFET 2X2 (Bottom View)
MOSFET Maximum Ratings T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Ratings
Units
V DS
V GS
I D
P D
T J , T STG
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current -Continuous
-Pulsed
Power Dissipation
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature Range
(Note 1a)
(Note 1a)
(Note 1b)
–30
±25
–6.8
–24
2.4
0.9
–55 to +150
V
V
A
W
° C
Thermal Characteristics
R θ JA
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Thermal Resistance, Junction to Ambient
(Note 1a)
(Note 1b)
52
145
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
530
Device
FDMA530PZ
Package
MicroFET 2X2
Reel Size
7’’
Tape Width
8mm
Quantity
3000 units
?20 11 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMA530PZ Rev.C1
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| FDMA7632 | 功能描述:MOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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