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参数资料
| 型号： | FDMA530PZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 6.8A MLP2X2 |
| 产品目录绘图： | MicroFET 2x2, SC-75 Single |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 6.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 24nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1070pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | MicroFET 2x2 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMA530PZDKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
10
8
I D = -6.8A
V DD = -10V
2000
1000
C iss
6
V DD = -15V
4
V DD = -20V
C oss
2
100
f = 1MHz
V GS = 0V
C rss
0.1
0
0
3
6 9 12
Q g , GATE CHARGE(nC)
15
18
50
1 10
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
20
Figure 7. Gate Charge Characteristics
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
1E-3
1E-4
1E-5
1E-6
V GS = 0V
T J = 125 o C
60
10
1
r DS(on) LIMIT
100us
1ms
R
= 145
C/W
T A = 25 C
1E-7
1E-8
1E-9
0
5
10
15
T J =
20
25 o C
25
30
35
0.1
0.01
0.1
V GS = -4.5V
SINGLE PULSE
o
θ JA
o
1
10
10ms
100ms
1s
10s
DC
100
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE(V)
Figure 9. Gate Leakage Current
vs Gate to Source Voltage
-VDS, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 10. Forward Bias Safe
Operating Area
0
10
10
10
10
10
R θ JA = 145 C/W
T A =25 C
10
10
10
0.01
10
0.02
SINGLE PULSE
10
10
10
10
10
10
150
120
90
60
30
-4
-3
-2
-1
0
SINGLE PULSE
o
o
1 2
3
2
1
0.1
-3
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
P DM
0.01
t 1
t 2
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JA x R θ JA + T A
-2 -1 0 1 2
3
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 11. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Figure 12. Transient Thermal
Response Curve
FDMA530PZ Rev.C1
4
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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