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参数资料
| 型号： | FDMA530PZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 6.8A MLP2X2 |
| 产品目录绘图： | MicroFET 2x2, SC-75 Single |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 6.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 24nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1070pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | MicroFET 2x2 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMA530PZDKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
24
3.5
20
16
V GS = - 4.5V
V GS = -10V
V GS = - 5.0V
V GS = - 4.0V
3.0
2.5
V GS = -3.5V
V GS = -4.0V
V GS = -4.5V
12
2.0
V GS = -5.0V
8
V GS = - 3.5V
1.5
V GS = -10V
4
0
0
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
1 2 3 4
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
5
1.0
0.5
0
4
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
8 12 16 20
-ID, DRAIN CURRENT(A)
24
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
1.8
1.6
I D = -6.8A
V GS = -10V
200
150
I D = -3.4A
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
1.4
100
1.2
1.0
50
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0.8
-50
-25
0 25 50 75 100 125
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
150
0
2
4 6 8
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
Figure 3. Normalized On- Resistance
vs Junction Temperature
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
24
18
12
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
V DD = -5V
30
10
1
0.1
V GS = 0V
T J = 125 o C
T J = 25 o C
6
T J = 125 o C
T J = -55 o C
T J = 25 o C
0.01
0.001
T J = -55 o C
0
1
2 3 4 5
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
6
0.0001
0.0
0.4 0.8 1.2
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
1.6
Figure 5. Transfer Characteristics
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
FDMA530PZ Rev.C1
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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