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参数资料
| 型号： | FDMA520PZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 7.3A MLP2X2 |
| 产品目录绘图： | MicroFET 2x2, SC-75 Single |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫欧 @ 7.3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1645pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | MicroFET 2x2 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMA520PZDKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
10
3000
8
I D = -7.3A
V DD = -5V
V DD = -10V
1000
C iss
6
4
V DD = -15V
C oss
2
100
f = 1MHz
V GS = 0V
C rss
0
0
7
14 21
28
35
30
0.1
1 10
20
-Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
1E-4
V GS = 0V
1E-5
T J = 125 o C
60
10
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
r DS(on) LIMIT
100us
1E-6
1
1ms
= 145
C/W
1E-7
1E-8
T J = 25 o C
0.1
V GS =4.5V
SINGLE PULSE
o
R
JA
10ms
100ms
1s
10s
T A = 25 o C
DC
1E-9
0
3
6 9 12
15
0.01
0.1
1
10
60
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE(V)
Figure 9. Gate Leakage Current vs Gate to
Source Voltage
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 10. Forward Bias Safe
Operating Area
R JA = 145 C/W
T A =25 C
150
120
SINGLE PULSE
o
o
2
1
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
90
0.02
0.1
0.01
P DM
60
t 1
30
0.01
SINGLE PULSE
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
t 2
PEAK T J = P DM x Z JA x R
JA
+ T A
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
0
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
0.005
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 11. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Figure 12. Transient Thermal Response Curve
FDMA520PZ Rev.B2
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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