参数资料
型号: FDMA410NZ
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 6/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-MICROFET
产品目录绘图: MicroFET 2x2, SC-75 Single
标准包装: 1
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 9.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 23 毫欧 @ 9.5A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1080pF @ 10V
功率 - 最大: 900mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-WDFN 裸露焊盘
供应商设备封装: 6-MicroFET(2x2)
包装: 标准包装
产品目录页面: 1609 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: FDMA410NZDKR
Dimensional Outline and Pad Layout
NO DRAIN OR GATE
0.10 C
2X
2.000
2.000
1.05
1.00
6
4
TRACES ALLOWED IN
THIS AREA
1.35
0.66
2.30
(0.47)
0.10 C
1
3
PIN#1 LOCATION
2X
0.65 TYP
0.40 TYP
0.8 MAX
0.10 C
(0.20)
RECOMMENDED LAND PATTERN OPT 1
0.08 C
0.05
0.00
C
SEATING
PLANE
1.00
PIN #1 IDENT
1.000
(0.30)
6
4
0.800
2.30
0.33
0.20
1
3
(0.56)
1.05
0.95
1.05
(0.47)
1.35
0.66
1
3
6
4
0.65 TYP
0.40 TYP
0.65
1.30
0.25~0.35
0.10
C AB
RECOMMENDED LAND PATTERN OPT 2
0.05
C
A. DOES NOT FULLY CONFORMTO JEDEC REGISTRATION
MO-229 DATED AUG/2003
B. DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS.
C. DIMENSIONS AND TOLERANCES PER
ASME Y14.5M, 1994
D. DRAWING FILENAME: MKT-MLP06Lrev2.
?2009Fairchild Semiconductor Corporation
FDMA410NZ Rev.B3
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料
PDF描述
FDMA420NZ MOSFET N-CH 20V 5.7A MICROFET
FDMA430NZ MOSFET N-CH 30V 5A MICROFET
FDMA507PZ MOSFET P-CH 20V 6-MICROFET
FDMA510PZ MOSFET P-CH 20V 7.8A 6-MICROFET
FDMA520PZ MOSFET P-CH 20V 7.3A MLP2X2
相关代理商/技术参数
参数描述
FDMA420NZ 功能描述:MOSFET 20V 5.7A 30OHM SINGLE NCH 2.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDMA420NZ_0609 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET 20V, 5.7A, 30mз
FDMA420NZ_08 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench㈢ MOSFET 20V, 5.7A, 30mヘ
FDMA430NZ 功能描述:MOSFET 2.5V SINGLE NCH SPECIFIED POWER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDMA430NZ 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET