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参数资料
| 型号： | FDMA507PZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 6-MICROFET |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 7.8A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 42nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2015pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-MicroFET（2x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMA507PZDKR |
May 2010
FDMA507PZ
Single P-Channel PowerTrench ? MOSFET
-20 V, -7.8 A, 24 m ?
Features
Max r DS(on) = 24 m ? at V GS = -5 V, I D = -7.8 A
Max r DS(on) = 25 m ? at V GS = -4.5 V, I D = -7 A
Max r DS(on) = 35 m ? at V GS = -2.5 V, I D = -5.5 A
Max r DS(on) = 45 m ? at V GS = -1.8 V, I D = -4 A
Low Profile - 0.8 mm maximum - in the package MicroFET
General Description
This device is designed specifically for battery charge or load
switching in cellular handset and other ultraportable applications.
It features a MOSFET with low on-stade resistance.
The MicroFET 2X2 package offers exceptional thermal
perfomance for its physical size and is well suited to linear mode
applications.
2X2 mm
HBM ESD protection level > 3.2K V typical (Note3)
Free from halogenated compounds and antimony oxides
RoHS Compliant
MOSFET Maximum Ratings T A = 25 °C unless otherwise noted
Symbol
V DS
V GS
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Parameter
Ratings
-20
±8
Units
V
V
I D
Drain Current
-Continuous
-Pulsed
T A = 25 °C
(Note 1a)
-7.8
-24
A
P D
Power Dissipation
Power Dissipation
T A = 25 °C
T A = 25 °C
(Note 1a)
(Note 1b)
2.4
0.9
W
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
° C
Thermal Characteristics
R θ JA
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Thermal Resistance, Junction to Ambient
(Note 1a)
(Note 1b)
52
145
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
507
Device
FDMA507PZ
Package
MicroFET 2X2
Reel Size
7 ’’
Tape Width
12 mm
Quantity
3000 units
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMA507PZ Rev.C
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMA510PZ | MOSFET P-CH 20V 7.8A 6-MICROFET |
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| FDMA7630 | MOSFET N-CH 30V 6-MICROFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMA510PZ | 功能描述:MOSFET -20V Single P-Chan PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMA520PZ | 功能描述:MOSFET -20V P-CH PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| FDMA530PZ_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Single P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
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