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参数资料
| 型号： | FDMA507PZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 6-MICROFET |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 7.8A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 42nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2015pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-MicroFET（2x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMA507PZDKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
24
V GS = -5 V
2.5
PULSE DURATION = 80 μ s
20
V GS = -4.5 V
V GS = -3 V
2.0
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
16
12
V GS = -2.5 V
1.5
V GS = -1.8 V
V GS = -2.5 V
V GS = -1.8 V
8
1.0
4
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V GS = -3 V
V GS = -4.5 V
V GS = -5 V
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
0.5
0
4
8 12 16
20
24
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On Region Characteristics
1.6
-I D , DRAIN CURRENT(A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
160
1.4
I D = -7.8 A
V GS = -5 V
120
I D = - 7.8 A
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
1.2
80
1.0
0.8
40
T J = 25 o C
T J = 125 o C
0.6
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
1
2 3 4
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On Resistance
vs Junction Temperature
24
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
20
20
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
10
V GS = 0 V
16
12
V DS = -5 V
1
0.1
T J = 150 o C
T J = 25 o C
8
4
T J = 150 o C
T J = 25 o C
0.01
T J = -55 o C
T J = -55 o C
0
0
0.5 1.0 1.5
2.0
0.001
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMA507PZ Rev.C
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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