- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录419 > FDMA507PZ (Fairchild Semiconductor)MOSFET P-CH 20V 6-MICROFET Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDMA507PZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 6-MICROFET |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 7.8A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 42nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2015pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-MicroFET（2x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMA507PZDKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
5
4
3
I D = -7.8 V
V DD = -8 V
V DD = -10 V
10000
1000
C iss
2
1
V DD = -12 V
f = 1 MHz
V GS = 0 V
C oss
C rss
0
0
10
20
30
40
100
0.1
1 10
20
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
10
10
-1
-2
V GS = 0 V
50
10
10
-3
-4
10
100 us
1 ms
10
-5
T J = 125 o C
1
10 ms
10
10
10
10
-6
-7
-8
-9
T J = 25 o C
0.1
THIS AREA IS
LIMITEDBY r DS(on)
SINGLE PULSE
TJ = MAX RATED
R θ JA = 145 o C/W
TA = 25 o C
100 ms
1s
10 s
DC
10
-10
0
3
6
9
12
15
0.01
0.1
1
10
80
-V GS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Gate Leakage Current vs Gate to
Source Voltage
-V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 10. Forward Bias Safe
Operating Area
1000
SINGLE PULSE
R θ JA = 145 o C/W
T A = 25 C
100
10
1
o
10
10
10
10
0.5
-4
-3
-2
-1
1
10
100
1000
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 11. Single Pulse Maximum Power Dissipation
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMA507PZ Rev.C
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMA510PZ | MOSFET P-CH 20V 7.8A 6-MICROFET |
| FDMA520PZ | MOSFET P-CH 20V 7.3A MLP2X2 |
| FDMA530PZ | MOSFET P-CH 30V 6.8A MLP2X2 |
| FDMA6023PZT | MOSFET P-CH DUAL 20V 6MICROFET |
| FDMA7630 | MOSFET N-CH 30V 6-MICROFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMA510PZ | 功能描述:MOSFET -20V Single P-Chan PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMA520PZ | 功能描述:MOSFET -20V P-CH PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMA520PZ_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Single P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET -20V, -7.3A, 30mヘ |
| FDMA530PZ | 功能描述:MOSFET -30V P-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMA530PZ_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Single P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。