参数资料
型号: FDMA507PZ
厂商: Fairchild Semiconductor
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描述: MOSFET P-CH 20V 6-MICROFET
标准包装: 1
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 7.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 24 毫欧 @ 7.8A,5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 42nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2015pF @ 10V
功率 - 最大: 900mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-WDFN 裸露焊盘
供应商设备封装: 6-MicroFET(2x2)
包装: 标准包装
其它名称: FDMA507PZDKR
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
2
1
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
P DM
0.02
0.01
t 1
R θ JA = 145 C/W
0.01
SINGLE PULSE
o
t 2
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JA x R θ JA + T A
10
10
10
10
0.001
-4
-3
-2
-1
1
10
100
1000
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (sec)
Figure 12. Junction-to-Ambient Transient Thermal Response Curve
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMA507PZ Rev.C
5
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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FDMA510PZ 功能描述:MOSFET -20V Single P-Chan PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDMA520PZ 功能描述:MOSFET -20V P-CH PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDMA520PZ_08 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Single P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET -20V, -7.3A, 30mヘ
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FDMA530PZ_08 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Single P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET