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参数资料
| 型号： | FDMA6023PZT |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 20V 6MICROFET |
| 产品目录绘图： | MicorFET 2x2, SC-75 Dual |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 3.6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 885pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-MicroFET（2x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMA6023PZTDKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
4.5
I D = -3.6A
2000
3.0
1.5
V DD = -5V
V DD = -10V
V DD = -15V
1000
C iss
C oss
100
f = 1MHz
V GS = 0V
C rss
0.0
0
4
8
12
16
50
0.1
1
10
20
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
20
10
100
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
V GS = -4.5 V
SINGLE PULSE
R θ JA = 173 C/W
1
0.1
0.01
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
o
T A = 25 o C
1 ms
10 ms
100 ms
1s
10 s
DC
10
1
0.5
R θ JA = 173 o C/W
T A = 25 o C
10
10
10
10
0.1
1
10
50
-4
-3
-2
-1
1
10
100
1000
2
1
-V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Forward Bias Safe
Operation Area
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
0.1
0.02
0.01
SINGLE PULSE
NOTES:
P DM
t 1
t 2
R θ JA = 173 C/W
0.01
0.005
o
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JA x R θ JA + T A
10
10
10
10
-4
-3
-2
-1
1
10
100
1000
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Figure 11. Junction-to-Ambient Transient Thermal Response Curve
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMA6023PZT Rev.B1
5
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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