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参数资料
| 型号： | FDMA7632 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 9A MICROFET2X2 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 19 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 760pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN |
| 供应商设备封装： | 6-MicroFET（2x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMA7632DKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
10
8
I D = 9 A
1000
C iss
V DD = 10 V
6
4
2
V DD = 15 V
V DD = 20 V
100
f = 1 MHz
V GS = 0 V
C oss
C rss
0
0
2
4
6
8
10
10
0.1
1
10
30
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
100
1000
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
SINGLE PULSE
10
0.1 ms
100
R θ JA = 145 o C/W
T A = 25 o C
1
0.1
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
R θ JA = 145 o C/W
T A = 25 o C
1 ms
10 ms
100 ms
1s
10 s
DC
10
1
10
10
10
10
10
10
0.01
0.01
0.1
1
10
100
0.1
-4
-3
-2
-1
0
1
100
1000
2
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
1
0.1
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
P DM
t 1
R θ JA = 145 C/W
SINGLE PULSE
o
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JA x R θ JA + T A
10
10
10
10
0.001
-4
-3
-2
-1
1
10
100
1000
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMA7632 Rev.C 2
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMA7670 | 功能描述:MOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMA7672 | 功能描述:MOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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