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参数资料
| 型号： | FDMB3900AN |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V DUAL 8-MLP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 890pF @ 13V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | * |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Dimensional Outline and Pad Layout
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMB3900AN Rev.C3
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMB668P | MOSFET P-CH 20V 6.1A MICROFET8 |
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| FDMC2512SDC | MOSFET N-CH 25V DUAL 8-PQFN |
| FDMC2514SDC | MOSFET N-CH 25V 40A POWER33 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMB506P | 功能描述:MOSFET LOW_VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMB668P | 功能描述:MOSFET -20V P-Ch 1.8V Lgic Lvl PT MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC0205 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDMC0222 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
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