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参数资料
| 型号： | FDMC2514SDC |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 40A POWER33 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | Dual Cool™, PowerTrench®, SyncFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 24A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.5 毫欧 @ 22.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 44nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2705pF @ 13V |
| 功率 - 最大： | 3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerVDFN |
| 供应商设备封装： | * |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMC2514SDCDKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
120
90
V GS = 10 V
V GS = 4.5 V
V GS = 3.5 V
V GS = 3 V
8
7
6
V GS = 2.5 V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
60
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
5
4
3
V GS = 3 V
V GS = 3.5 V
30
V GS = 2.5 V
2
1
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
0
0
1
2
3
4
5
0
0
30
60
90
120
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
1.5
I D = 22.5 A
1.4 V GS = 10 V
1.3
12
10
8
I D = 22.5 A
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
1.2
6
1.1
1.0
4
T J = 125 o C
0.9
0.8
2
0
T J = 25 o C
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On- Resistance
vs Junction Temperature
120
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
200
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
100
V GS = 0 V
90
V DS = 5 V
10
1
T J = 125 o C
60
30
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0.1
T J = 25 o C
T J = -55 o C
0.01
T J = -55 o C
0
0.001
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMC2514SDC Rev.C2
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMC2523P | MOSFET P-CH 150V 3A MLP 3.3SQ |
| FDMC2610 | MOSFET N-CH 200V 2.2A POWER33-8 |
| FDMC2674 | MOSFET N-CH 220V 1A 3.3SQ MLP |
| FDMC3020DC | MOSFET N-CH 30V 40A POWER33 |
| FDMC3612 | MOSFET N-CH 100V 8-MLP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMC2523P | 功能描述:MOSFET -150V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC2523P_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel QFET -150V, -3A, 1.5ヘ |
| FDMC2523P_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel QFET?? -150V, -3A, 1.5?? |
| FDMC2610 | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC2610 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N CH 200V 9.5A POWER33-8 |
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