- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录420 > FDMC3020DC (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 30V 40A POWER33 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDMC3020DC |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 40A POWER33 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | Dual Cool™, PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 17A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.25 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 23nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1385pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerVDFN |
| 供应商设备封装： | * |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMC3020DCDKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
50
6
40
30
V GS = 10V
V GS = 4.5V
V GS = 4V
V GS = 3.5V
5
4
3
PULSE DURATION = 80 P s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
V GS = 3V
V GS = 3.5V
20
PULSE DURATION = 80 P s
2
V GS = 4V
V GS = 4.5V
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
10
0
V GS = 3V
1
0
V GS = 10V
0
1
2
3
4
5
0
10
20
30
40
50
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
1.8
I D = 12A
I D , DRAIN CURRENT(A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
50
PULSE DURATION = 80 P s
1.6
1.4
V GS = 10V
40
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
I D = 12A
30
1.2
20
1.0
0.8
10
T J = 25 o C
T J = 125 o C
0.6
-50
-25
0 25 50 75 100
125
150
0
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On- Resistance
vs Junction Temperature
50
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
50
40
30
20
PULSE DURATION = 80 P s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
V DS = 5V
10
1
0.1
V GS = 0V
T J = 150 o C
T J = 25 o C
10
T J = 150 o C
T J = 25 o C
0.01
T J = -55 o C
T J = -55 o C
0
1
2
3
4
5
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?20 1 2 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMC3020DC Rev. C 4
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMC3612 | MOSFET N-CH 100V 8-MLP |
| FDMC4435BZ | MOSFET P-CH 30V 8.5A POWER33 |
| FDMC510P | MOSFET P-CH 20V 18A 8-MLP |
| FDMC5614P | MOSFET P-CH 60V 5.7A POWER33 |
| FDMC6296 | MOSFET N-CH 30V 11.5A LL 8MLP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMC3300NZA | 功能描述:MOSFET 20V 8A 26 OHM MONOLITHIC COMM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC3300NZA_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Monolithic Common Drain N-Channel 2.5V Specified PowerTrench㈢ MOSFET 20V, 8A, 26mヘ |
| FDMC3612 | 功能描述:MOSFET 100V PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC4435BZ | 功能描述:MOSFET -30V P-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC4435BZ_F125 | 功能描述:MOSFET -30V P-CH PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。