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参数资料
| 型号： | FDMC510P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 18A 8-MLP |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 毫欧 @ 12A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 116nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7860pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-MLP，MicroFET? |
| 供应商设备封装： | MLP（3.3x3.3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMC510PDKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
50
40
V GS = -4.5 V
V GS = - 1.5 V
5
4
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
V GS = -1.2 V
30
20
10
V GS = -2.5 V
V GS = -1.8 V
V GS = -1.2 V
3
2
1
V GS = -1.5 V
V GS = -1.8 V
0
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
0
V GS = -2.5 V
V GS = -4.5 V
0.0
0.5 1.0 1.5
2.0
0
10
20
30
40
50
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On Region Characteristics
1.5
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
25
1.4
1.3
I D = -12 A
V GS = -4.5 V
20
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
I D = -12 A
1.2
1.1
1.0
15
10
T J = 125 o C
0.9
0.8
0.7
5
0
T J = 25 o C
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On Resistance
vs. Junction Temperature
50
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE ( V )
Figure 4. On-Resistance vs. Gate to
Source Voltage
100
V GS = 0 V
40
30
V DS = -5 V
10
T J = 150 o C
20
T J =
150 o C
1
T J = 25 o C
10
0
T J = 25 o C
T J = -55 o C
0.1
0.01
T J = -55 o C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs. Source Current
FDMC510P Rev.C7
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMC5614P | 功能描述:MOSFET LOW_VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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