- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录420 > FDMC510P (Fairchild Semiconductor)MOSFET P-CH 20V 18A 8-MLP Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDMC510P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 18A 8-MLP |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 毫欧 @ 12A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 116nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7860pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-MLP，MicroFET? |
| 供应商设备封装： | MLP（3.3x3.3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMC510PDKR |
Dimensional Outline and Pad Layout
0.10 C
3.30+0.10
A
(3.40)
2X
B
8
2.37
5
0.45(4X)
2.152
(1.70)
3.30+0.10
(0.402)
KEEP OUT
AREA
PIN#1 QUADRANT
TOP VIEW
2X
0.10 C
(0.648)
0.65
1
1.95
4
0.70(4X)
0.42(8X)
0.8 MAX
0.10 C
(0.20)
RECOMMENDED LAND PATTERN
0.08 C
0.05
0.00
SEATING
PLANE
SIDE VIEW
2.27+0.05
PIN #1 IDENT
0.50+0.05
(4X)
(1.15)
R0.15
1
(0.79)
4
(0.35)
2.00+0.05
A. DOES NOT CONFORM TO JEDEC
REGISTRATION MO-229
B. DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS.
C. DIMENSIONS AND TOLERANCES PER
ASME Y14.5M, 1994
D. LAND PATTERN RECOMMENDATION IS
BASED ON FSC DESIGN ONLY
0.30+0.05
(3X)
E. DRAWING FILE NAME : MKT-MLP08Srev2
8
0.65
1.95
5
0.35+0.05 (8X)
0.10
C A B
0.05
C
F. FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
BOTTOM VIEW
FDMC510P Rev.C7
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMC5614P | MOSFET P-CH 60V 5.7A POWER33 |
| FDMC6296 | MOSFET N-CH 30V 11.5A LL 8MLP |
| FDMC6675BZ | MOSFET P-CH 30V 9.5A POWER33 |
| FDMC6890NZ | MOSFET N-CH DUAL 20V 4A POWER33 |
| FDMC7570S | MOSFET N-CH 25V 40A POWER33 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMC5614P | 功能描述:MOSFET LOW_VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC612PZ | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P-CH 20V 8-MLP 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET -20V P-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDMC6296 | 功能描述:MOSFET 30V Sngl NCh Lgc Lvl PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC6675BZ | 功能描述:MOSFET -30V 20A P-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC6675BZ_F125 | 功能描述:MOSFET -30V P-CH PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。