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参数资料
| 型号： | FDMC510P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 18A 8-MLP |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 毫欧 @ 12A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 116nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7860pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-MLP，MicroFET? |
| 供应商设备封装： | MLP（3.3x3.3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMC510PDKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
4.5
I D = -12 A
20000
10000
C iss
3.0
V DD = -8 V
V DD = -12 V
V DD = -10 V
1.5
1000
f = 1 MHz
C oss
V GS = 0 V
C rss
0.0
0
20
40
60
80
100
400
0.1
1
10
20
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
20
10
T J = 25 o C
T J = 100 o C
60
50
40
30
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs. Drain
to Source Voltage
V GS = -4.5 V
V GS = -2.5 V
20
T J = 125 o C
10
R θ JC = 3 C/W
Limited by Package
o
1
0.1
1
10
100
1000
0
25
50
75
100
125
150
T C , CASE TEMPERATURE ( C )
100
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
100 us
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs. Case Temperature
1000
SINGLE PULSE
10
1 ms
100
R θ JA = 125 o C/W
T A = 25 o C
10 ms
1
0.1
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
100 ms
1s
10 s
10
R θ JA = 125 o C/W
T A = 25 o C
DC
1
10
10
10
10
0.01
0.01
0.1
1
10
80
0.5
-4
-3
-2
-1
1
10
100
1000
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
FDMC510P Rev.C7
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMC5614P | 功能描述:MOSFET LOW_VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC612PZ | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P-CH 20V 8-MLP 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET -20V P-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDMC6296 | 功能描述:MOSFET 30V Sngl NCh Lgc Lvl PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC6675BZ | 功能描述:MOSFET -30V 20A P-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC6675BZ_F125 | 功能描述:MOSFET -30V P-CH PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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