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参数资料
| 型号： | FDMC7692S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 8-MLP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench®, SyncFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.3 毫欧 @ 12.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 23nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1385pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-MLP，Power33 |
| 供应商设备封装： | 8-MLP（3.3x3.3） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics (continued)
SyncFET Schottky body diode
Characteristics
10
10
Fairchild’s SyncFET process embeds a Schottky diode in parallel
with PowerTrench MOSFET. This diode exhibits similar
characteristics to a discrete external Schottky diode in parallel
with a MOSFET. Figure 13 shows the reverses recovery
characteristic of the FDMC7692S.
15
10
didt = 300 A/ s
Schottky barrier diodes exhibit significant leakage at high tem-
perature and high reverse voltage. This will increase the power
in the device.
4
T J = 125 o C
3
10
10
5
2
1
T J = 100 o C
10
0
0
T J = 25 o C
10
-5
0
50
100
150
200
250
-1
0
5
10
15
20
25
30
TIME (ns)
Figure 13. SyncFET body diode reverse
recovery characteristic
V DS , REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 14. SyncFET body diode reverses
leakage versus drain-source voltage
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMC7692S Rev.C3
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMC7692 | MOSFET N-CH 30V 8-MLP |
| FDMC8010 | MOSFET N-CH 30V 8-PQFN |
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| FDMC8030 | MOSFET N-CH 40V DUAL 8-MLP |
| FDMC8200S | MOSFET N-CH DUAL 30V 8MLP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMC7692S_F125 | 功能描述:MOSFET 30V N-CHAN 12.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC7692S_F126 | 功能描述:MOSFET 30V N-CHAN 12.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC7692S_F127 | 功能描述:MOSFET 30V N-CHAN 12.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC7696 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC7696_F065 | 功能描述:MOSFET Single PT7 N in MLP3.3x3.3 Combo RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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