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参数资料
型号： FDMC7692S
厂商： Fairchild Semiconductor
文件页数： 7/8页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 30V 8-MLP
标准包装： 3,000
系列： PowerTrench®, SyncFET™
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)： 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 12.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 9.3 毫欧 @ 12.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 3V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 23nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 1385pF @ 15V
功率 - 最大： 2.3W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-MLP，Power33
供应商设备封装： 8-MLP（3.3x3.3）
包装： 带卷 (TR)
Dimensional Outline and Pad Layout
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMC7692S Rev.C3
7
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
FDMC7692 MOSFET N-CH 30V 8-MLP
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FDMC8200S MOSFET N-CH DUAL 30V 8MLP
相关代理商/技术参数
参数描述
FDMC7692S_F125 功能描述:MOSFET 30V N-CHAN 12.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDMC7692S_F126 功能描述:MOSFET 30V N-CHAN 12.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDMC7692S_F127 功能描述:MOSFET 30V N-CHAN 12.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDMC7696 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDMC7696_F065 功能描述:MOSFET Single PT7 N in MLP3.3x3.3 Combo RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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