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参数资料
| 型号： | FDME905PT |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 6-UMLP |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 22 毫欧 @ 8A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2315pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | * |
| 供应商设备封装： | * |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDME905PTFSDKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
4.5
3000
I D = -8 A
V DD = -5 V
C iss
3.0
V DD = -6 V
1000
C oss
1.5
V DD = -7 V
f = 1 MHz
V GS = 0 V
C rss
0.0
0
4
8
12
16
100
0.1
1
10
20
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
100
300
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
SINGLE PULSE
R θ JA = 175 C/W
T A = 25 C
10
1
100 μ s
1 ms
10 ms
100
o
o
0.1
0.01
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
TJ = MAX RATED
R θ JA = 175 o C/W
TA = 25 o C
100 ms
1s
10 s
DC
10
1
10
10
10
0.001
0.1
1
10
30
0.5 -4
10
-3
-2
-1
1
10
100
1000
2
-V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
1
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
P DM
t 1
R θ JA = 175 C/W
0.01
SINGLE PULSE
o
t 2
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JA x R θ JA + T A
10
10
10
10
0.001
-4
-3
-2
-1
1
10
100
1000
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (sec)
Figure 11. Junction-to-Ambient Transient Thermal Response Curve
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDME905PT Rev.C4
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
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