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参数资料
| 型号： | FDMS015N04B |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 31.3A 8-PQFN |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 31.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.5 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 118nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8725pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerTDFN |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
500
Figure 2. Transfer Characteristics
400
*Notes:
1. V DS = 10V
100
2. 250 μ s Pulse Test
150 C
25 C
-55 C
100
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
V GS = 15.0V
10.0V
8.0V
7.0V
6.5V
6.0V
10
o
o
o
2. T C = 25 C
10
0.1
o
1
5.5V
5.0V
2
1
2.5
3.0
3.5 4.0 4.5 5.0 5.5
6.0
V DS , Drain-Source Voltage[V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
1.3
1.2
V GS , Gate-Source Voltage[V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
400
100
150 C
25 C
1.1
V GS = 10V
V GS = 20V
10
o
o
1.0
*Notes:
*Note: T C = 25 C
0.9
0
50
100 150 200 250
I D , Drain Current [A]
o
300
1
0.2
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.4 0.6 0.8 1.0
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
1.2
Figure 5. Capacitance Characteristics
10000
Figure 6. Gate Charge Characteristics
10
C iss
8
V DS = 8V
V DS = 20V
1000
*Note:
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
C oss
6
4
2
V DS = 32V
100
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
C rss
*Note: I D = 50A
50
0.1
1 10
40
0
0
25 50 75
100
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q g , Total Gate Charge [nC]
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS015N04B Rev. C3
3
www.fairchildsemi.com
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