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参数资料
| 型号： | FDMS015N04B |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 31.3A 8-PQFN |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 31.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.5 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 118nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8725pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerTDFN |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.12
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
1.7
1.6
1.08
1.4
1.04
1.00
1.2
1.0
0.96
*Notes:
1. V GS = 0V
2. I D = 250 μ A
0.8
*Notes:
1. V GS = 10V
2. I D = 50A
-40 0 40 80 120
T J , Junction Temperature [ C ]
T J , Junction Temperature [ C ]
0.92
-80
o
160
0.6
-80
-40 0 40 80 120
o
160
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
1000
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
120
V GS = 10V
100
1ms
80
10
10ms
100ms
DC
1. T C = 25 C
1
0.1
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
*Notes:
o
40
2. T J = 150 C
R θ JC = 1.2 C/W
T C , Case Temperature [ C]
0.01
0.01
o
3. Single Pulse
0.1 1 10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
100
0
25
o
50 75 100 125
o
150
Figure 11. Eoss vs. Drain to Source Voltage
Figure 12. Unclamped Inductive
Switching Capability
2.0
50
If R = 0
t AV = (L) ( I AS ) / ( 1.3*RATED BV DSS -V DD )
If R = 0
t AV = (L/R)In [( I AS *R ) / ( 1.3*RATED BV DSS -V DD ) +1 ]
1.5
STARTING T J = 125 C
1.0
0.5
10
o
o
STARTING T J = 25 C
0
0
10 20 30
V DS , Drain to Source Voltage [ V ]
40
1
0.1
1 10 100
t AV , Time In Avalanche [ms]
1000
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS015N04B Rev. C3
4
www.fairchildsemi.com
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