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参数资料
| 型号： | FDMS015N04B |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 31.3A 8-PQFN |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 31.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.5 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 118nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8725pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerTDFN |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 13. Transient Thermal Response Curve
2
1
0.5
0.2
0.1
0.1
P DM
0.05
t 1
t 2
1. Z θ JA (t) = 125 C/W Max.
0.02
0.01
*Notes:
o
0.01 Single pulse
0.005
0.01
0.1
1
10
2. Duty Factor, D= t 1 /t 2
3. T JM - T C = P DM * Z θ JC (t)
100
1000
1 ,
t Rectangular Pulse Duration [sec]
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS015N04B Rev. C3
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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