- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录421 > FDMS039N08B (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 80V 19.4A POWER56 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDMS039N08B |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 80V 19.4A POWER56 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 80V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 19.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.9 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 100nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7600pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerTDFN |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMS039N08BDKR |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
400
Figure 2. Transfer Characteristics
400
*Notes:
1. V DS = 10V
150 C
25 C
100
100
2. 250 μ s Pulse Test
o
o
10
V GS = 15.0V
10.0V
10
2. T C = 25 C
-55 C
1
0.1
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
o
1
V DS , Drain-Source Voltage[V]
8.0V
7.0V
6.5V
6.0V
5.5V
4
1
3
o
4 5 6
V GS , Gate-Source Voltage[V]
7
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
5.5
5.0
4.5
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
400
100
150 C
25 C
4.0
3.5
V GS = 10V
10
o
o
3.0
*Note: T C = 25 C
2.5
2.0
0
50
V GS = 20V
100 150 200 250 300
o
350
1
0.2
*Notes:
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
1.4
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
10000
C iss
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
10
V DS = 16V
1000
8
V DS = 40V
V DS = 64V
C oss
6
100
*Note:
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
4
2
10
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
5
0.1 1 10
C rss
80
0
0
*Note: I D = 50A
20 40 60
80
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q g , Total Gate Charge [nC]
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS039N08B Rev. C4
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMS2504SDC | MOSFET N-CH 25V 42A POWER56 |
| FDMS2506SDC | MOSFET N-CH 25V 39A POWER56 |
| FDMS2508SDC | MOSFET N-CH 25V 34A POWER56 |
| FDMS2510SDC | MOSFET N-CH 25V 28A POWER56 |
| FDMS2572 | MOSFET N-CH 150V 4.5A POWER56 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMS040C040-YN | 制造商:Thomas & Betts 功能描述:HAZLUX 3, FLD, 400W, HPS, M.T. |
| FDMS040C120-YWE | 制造商:Thomas & Betts 功能描述:HAZ3 FLD,400W,HPS,120V W/LAMP |
| FDMS040C480-YW | 制造商:Thomas & Betts 功能描述:400W HPS 480V |
| FDMS2380 | 功能描述:MOSFET Dual Integ Solenoid RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS2380_F085 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DRVR 2-OUT LO SIDE 18PIN PWR QFN EP - Tape and Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。