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参数资料
| 型号： | FDMS039N08B |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 80V 19.4A POWER56 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 80V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 19.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.9 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 100nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7600pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerTDFN |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMS039N08BDKR |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.08
1.04
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
1.8
1.6
1.4
1.2
1.00
1.0
0.96
*Notes:
1. V GS = 0V
0.8
*Notes:
1. V GS = 10V
T J , Junction Temperature [ C ]
T J , Junction Temperature [ C]
0.94
-100
2. I D = 250 μ A
-50 0 50 100 150 200
o
0.6
-100
2. I D = 50A
-50 0 50 100 150
o
200
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
1000
100
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
120
V GS =10V
100
10
1ms
10ms
80
60
1
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
*Notes:
100ms
DC
40
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
R θ JC =1.2 C/W
T C , Case Temperature [ C]
0.1
0.01
0.1
o
o
3. Single Pulse
1 10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
100
20
0
25
o
50 75 100 125
o
150
Figure 11. Unclamped Inductive
Switching Capability
Figure 12. Eoss vs. Drain to Source Voltage
STARTING T J = 25 C
STARTING T J = 150 C
100
10
If R = 0
t AV = (L) ( I AS ) / ( 1.3*RATED BV DSS -V DD )
If R = 0
t AV = (L/R)In [( I AS *R ) / ( 1.3*RATED BV DSS -V DD ) +1 ]
o
o
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
1
0.01
0.1 1 10 100
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
1000
0.0
0
10
20 30 40 50 60 70
V DS , Drain to Source Voltage [ V ]
80
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS039N08B Rev. C4
4
www.fairchildsemi.com
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