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参数资料
| 型号： | FDMS2572 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 4.5A POWER56 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Design/Process Change Notification 16/May/2007 |
| 产品目录绘图： | Power56 Single |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 47 毫欧 @ 4.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 43nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2610pF @ 75V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-MLP，Power56 |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMS2572DKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
10
3000
8
I D = 4.5A
V DD =50V
1000
C iss
6
V DD = 75V
4
2
V DD = 100V
100
f = 1MHz
C oss
C rss
0
0
7
14 21
28
35
10
0.1
V GS = 0V
1
10
100
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
6
6
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
5
4
3
T J = 25 o C
5
4
V GS = 10V
3
2
T J =
125 o C
2
1
V GS = 6V
o
R θ JA = 50 C/W
1
0.01
0.1
1
10
50
0
25
50 75 100 125
150
60
t AV , TIME IN AVALANCHE(ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( o C )
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Ambient Temperature
2000
10
100us
1ms
1000
V GS = 10V
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25 o C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
150 – T
------------------------
1
10ms
100
I = I 25
125
A
10
10
10
10
10
10
10
0.1
OPERATION IN THIS
AREA MAY BE
0.01 LIMITED BY r DS(on)
1E-3
0.1 1
SINGLE PULSE
TJ = MAX RATED
TA = 25 O C
10
100
100ms
1s
10s
DC
600
10
1
0.5
-3
SINGLE PULSE
-2 -1
0
1
T A = 25 o C
2
3
VDS, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
FDMS2572 Rev.C4
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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