- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录421 > FDMS3006SDC (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 30V 34A 8-PQFN Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDMS3006SDC |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 34A 8-PQFN |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | Dual Cool™, PowerTrench®, SyncFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 34A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.9 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 80nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5725pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 3.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerTDFN |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
200
V GS = 10 V
6
150
V GS = 4.5 V
V GS = 4 V
V GS = 3 V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
4
100
50
V GS = 3.5 V
2
V GS = 3.5 V
0
0.0
V GS = 3 V
0.5 1.0
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
1.5 2.0
2.5
0
0
50
V GS = 4 V
100 150 200
V GS = 4.5 V V GS = 10 V
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
1.6
1.4
I D = 30 A
V GS = 10 V
8
6
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
I D = 30 A
1.2
4
1.0
0.8
2
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0.6
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
0
2
4 6 8
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
Figure 3. Normalized On- Resistance
vs Junction Temperature
200
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
200
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
100
V GS = 0 V
150
V DS = 5 V
T J =
125 o C
10
T J = 125 o C
100
50
T J = 25 o C
T J = -55 o C
1
0.1
T J = 25 o C
T J = -55 o C
0
1
2
3
4
0.01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS3006SDC Rev.C4
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMS3008SDC | MOSFET N-CH 30V 29A 8-PQFN |
| FDMS3016DC | MOSFET N-CH 30V 18A 8-PQFN |
| FDMS3500 | MOSFET N-CH 75V 9.2A POWER56 |
| FDMS3572 | MOSFET N-CH 80V 8.8A POWER56 |
| FDMS3600S | MOSFET N-CH 25V 15A 8-PQFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMS3008SDC | 功能描述:MOSFET 30V N-Chan Dual Cool PowerTrench SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS3016DC | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel Dual Cool PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS3500 | 功能描述:MOSFET 75V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS3572 | 功能描述:MOSFET 80V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS3572_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel UltraFET Trench㈢ MOSFET 80V, 22A, 16.5mз |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。