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参数资料
| 型号： | FDMS3006SDC |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 34A 8-PQFN |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | Dual Cool™, PowerTrench®, SyncFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 34A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.9 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 80nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5725pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 3.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerTDFN |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics (continued)
SyncFET Schottky body diode
Characteristics
10
Fairchild’s SyncFET process embeds a Schottky diode in parallel
with PowerTrench MOSFET. This diode exhibits similar
characteristics to a discrete external Schottky diode in parallel
with a MOSFET. Figure 14 shows the reverse recovery
characteristic of the FDMS3006SDC.
35
30
Schottky barrier diodes exhibit significant leakage at high tem-
perature and high reverse voltage. This will increase the power
in the device.
-2
10
10
10
25
20
15
10
5
0
didt = 300 A/ μ s
-3
-4
-5
T J = 125 o C
T J = 100 o C
T J = 25 o C
10
-5
0
50
100
TIME (ns)
150
200
250
-6
0
5
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15
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V DS , REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 14. FDMS3006SDC SyncFET body
diode reverse recovery characteristic
Figure 15. SyncFET body diode reverse
leakage versus drain-source voltage
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS3006SDC Rev.C4
7
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMS3008SDC | MOSFET N-CH 30V 29A 8-PQFN |
| FDMS3016DC | MOSFET N-CH 30V 18A 8-PQFN |
| FDMS3500 | MOSFET N-CH 75V 9.2A POWER56 |
| FDMS3572 | MOSFET N-CH 80V 8.8A POWER56 |
| FDMS3600S | MOSFET N-CH 25V 15A 8-PQFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMS3008SDC | 功能描述:MOSFET 30V N-Chan Dual Cool PowerTrench SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS3016DC | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel Dual Cool PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS3500 | 功能描述:MOSFET 75V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS3572 | 功能描述:MOSFET 80V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS3572_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel UltraFET Trench㈢ MOSFET 80V, 22A, 16.5mз |
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