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参数资料
| 型号： | FDMS3016DC |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 18A 8-PQFN |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | Dual Cool™, PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 23nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1385pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 3.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerTDFN |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
50
6
40
30
V GS = 10V
V GS = 4.5V
V GS = 4V
V GS = 3.5V
5
4
3
PULSE DURATION = 80 P s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
V GS = 3V
V GS = 3.5V
20
PULSE DURATION = 80 P s
2
V GS = 4V
V GS = 4.5V
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
10
0
V GS = 3V
1
0
V GS = 10V
0
1
2
3
4
5
0
10
20
30
40
50
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
1.8
I D = 12A
I D , DRAIN CURRENT(A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
50
PULSE DURATION = 80 P s
1.6
1.4
V GS = 10V
40
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
I D = 12A
30
1.2
20
1.0
0.8
10
T J = 25 o C
T J = 125 o C
0.6
-50
-25
0 25 50 75 100 125
150
0
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On- Resistance
vs Junction Temperature
50
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
50
40
30
20
PULSE DURATION = 80 P s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
V DS = 5V
10
1
0.1
V GS = 0V
T J = 150 o C
T J = 25 o C
10
T J = 150 o C
T J = 25 o C
0.01
T J = -55 o C
T J = -55 o C
0
1
2
3
4
5
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?20 10 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS3016DC Rev.C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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