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参数资料
| 型号： | FDMS3016DC |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 18A 8-PQFN |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | Dual Cool™, PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 23nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1385pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 3.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerTDFN |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
10
I D = 12A
3000
8
V DD = 10V
1000
C iss
V DD = 15V
6
4
V DD = 20V
C oss
2
0
100
30
f = 1MHz
V GS = 0V
C rss
0
3
6
9
12
15
18
0.1
1
10
30
R θ JC = 2.1 C/W
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
30
10
T J = 25 o C
80
60
40
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
o
V GS = 10 V
T J = 125 o C
20
Limited by package
V GS = 4.5 V
1
0.01
0.1
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
T C , CASE TEMPERATURE ( C )
500
t AV , TIME IN AVALANCHE(ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Case Temperature
2000
R θ JA = 81 C/W
T A = 25 C
100
10
100 us
1 ms
10 ms
1000
100
SINGLE PULSE
o
o
1
0.1
0.01
THIS AREA IS
LIMITED BY rDS ( on )
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
R θ JA = 81 o C/W
T A = 25 o C
100 ms
1s
10 s
DC
10
1
10
10
10
10
0.001
0.01
0.1
1
10
100 200
0.5
-4
-3
-2
-1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
?20 10 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS3016DC Rev.C1
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMS3500 | MOSFET N-CH 75V 9.2A POWER56 |
| FDMS3572 | MOSFET N-CH 80V 8.8A POWER56 |
| FDMS3600S | MOSFET N-CH 25V 15A 8-PQFN |
| FDMS3602S | MOSFET N-CH 25V DUAL POWER56 |
| FDMS3604AS | MOSFET N-CH 30V DUAL 8-PQFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMS3500 | 功能描述:MOSFET 75V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS3572 | 功能描述:MOSFET 80V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| FDMS3602S | 功能描述:MOSFET 25V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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