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参数资料
| 型号： | FDMS3615S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V DUAL 8-PQFN |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 N 沟道（双）非对称型 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A，18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.8 毫欧 @ 16A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 27nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1765pF @ 13V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerTDFN |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Electrical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Type
Min
Typ
Max
Units
Off Characteristics
BV DSS
Δ BV DS S
Δ T J
I DSS
I GSS
Drain to Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate to Source Leakage Current
I D = 250 μ A, V GS = 0 V
I D = 1 mA, V GS = 0 V
I D = 250 μ A, referenced to 25°C
I D = 10 mA, referenced to 25°C
V DS = 20 V, V GS = 0 V
V GS = 20 V, V DS = 0 V
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
25
25
18
16
1
500
100
100
V
mV/°C
μ A
nA
nA
On Characteristics
V GS(th)
Δ V GS(th )
Δ T J
Gate to Source Threshold Voltage
Gate to Source Threshold Voltage
Temperature Coefficient
V GS = V DS , I D = 250 μ A
V GS = V DS , I D = 1 mA
I D = 250 μ A, referenced to 25°C
I D = 10 mA, referenced to 25°C
Q1
Q2
Q1
Q2
1.2
1.2
1.7
1.8
-5
-6
2.5
2.5
V
mV/°C
V GS = 10 V, I D = 16 A
4.8
5.8
V GS = 4.5 V, I D = 13 A
Q1
6.9
8.3
r DS(on)
Static Drain to Source On Resistance
V GS = 10 V, I D = 16 A, T J = 125°C
V GS = 10 V, I D = 18 A
V GS = 4.5 V, I D = 15 A
Q2
6.6
2.5
3.6
7.9
3.4
4.6
m Ω
V GS = 10 V, I D = 18 A, T J = 125°C
3.4
4.1
g FS
Forward Transconductance
V DD = 5 V, I D = 16 A
V DD = 5 V, I D = 18 A
Q1
Q2
63
84
S
Dynamic Characteristics
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Q1:
V DS = 13 V, V GS = 0 V, f = 1 MHZ
Q2:
V DS = 13 V, V GS = 0 V, f = 1 MHZ
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
1326
2175
342
574
78
118
1765
2895
455
765
115
180
pF
pF
pF
R g
Gate Resistance
Q1
Q2
0.2
0.2
0.9
1.0
2.9
3.2
Ω
Switching Characteristics
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(TOT)
Q g(TOT)
Q gs
Q gd
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Total Gate Charge
Gate to Source Charge
Gate to Drain “Miller” Charge
Q1
V DD = 13 V, I D = 16 A, R GEN = 6 Ω
Q2
V DD = 13 V, I D = 18 A, R GEN = 6 Ω
V GS = 0V to 10 V Q1
V DD = 13 V,
V GS = 0V to 4.5 V I D = 16 A
Q2
V DD = 13 V,
I D = 18 A
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
7.7
9.5
1.7
3
19
24
1.4
2.2
19
31
9
14
3.6
5.7
2.4
3.7
15
19
10
10
34
49
10
10
27
43
13
20
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS3615S Rev.C6
2
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| FDMS3626S | 功能描述:MOSFET 25V Dual N-Channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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