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参数资料
| 型号： | FDMS3615S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V DUAL 8-PQFN |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 N 沟道（双）非对称型 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A，18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.8 毫欧 @ 16A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 27nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1765pF @ 13V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerTDFN |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics (Q1 N-Channel) T J = 25°C unless otherwise noted
10
3000
I D = 16 A
C iss
8
V DD = 10 V
1000
6
4
V DD = 13 V
V DD = 16 V
C oss
2
100
f = 1 MHz
C rss
V GS = 0 V
0
0
5
10
15
20
50
0.1
1
10
25
R θ JA = 55 C/W
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
20
20
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
o
10
T J = 25 o C
15
T J = 125 o C
T J = 100 o C
10
5
Limited by Package
V GS = 10 V
V GS = 4.5 V
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( C )
100
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Ambient Temperature
1000
R θ JA = 125 C/W
10
100 μ s
1 ms
100
SINGLE PULSE
o
1
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS ( on )
10 ms
100 ms
SINGLE PULSE
1s
10
0.1
T J = MAX RATED
R θ JA = 125 o C/W
T A = 25 o C
10s
DC
1
10
10
10
10
1
0.01
0.01
0.1 1 10
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
100200
0.5
-4
-3
-2 -1
t, PULSE WIDTH (sec)
10
100
1000
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS3615S Rev.C6
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMS3620S | MOSFET N-CH 25V DUAL 8-PQFN |
| FDMS3624S | MOSFET N-CH 25V DUAL 8-PQFN |
| FDMS3626S | MOSFET N-CH 25V DUAL 8-PQFN |
| FDMS3660S | MOSFET N-CH 30V DUAL 8-PQFN |
| FDMS3662 | MOSFET N-CH 100V 8.9A POWER56 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMS3616S | 功能描述:MOSFET 25V Asymmetric 2xNCh MOSFET PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS3620S | 功能描述:MOSFET 25V Asymtrc Dual NCh MOSFET PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS3622S | 功能描述:MOSFET PowerStage 25V Dual N-Channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS3624S | 功能描述:MOSFET 25V PowerTrench Power Stage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS3626S | 功能描述:MOSFET 25V Dual N-Channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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