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参数资料
| 型号： | FDMS3615S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V DUAL 8-PQFN |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 N 沟道（双）非对称型 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A，18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.8 毫欧 @ 16A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 27nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1765pF @ 13V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerTDFN |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics (Q2 N-Channel) T J = 25 °C unless otherwise noted
36
V GS = 10 V
8
27
V GS = 5.5 V
V GS = 4 V
V GS = 3.5 V
V GS = 3 V
6
V GS = 3 V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
18
9
PULSE DURATION = 80 μ s
4
2
V GS = 3.5 V
0
0.0
0.5
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
1.0
1.5
0
0
9
V GS = 4 V
18
V GS = 5.5 V
27
V GS = 10 V
36
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 14. On-Region Characteristics
1.6
I D = 18 A
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 15. Normalized on-Resistance vs Drain
Current and Gate Voltage
15
PULSE DURATION = 80 μ s
1.4
V GS = 10 V
12
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
I D = 18 A
1.2
9
1.0
0.8
6
3
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0.6
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
2
4
6
8
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 16. Normalized On-Resistance
vs Junction Temperature
36
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
27
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 17. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
50
V GS = 0 V
10
T J = 125 o C
18
V DS = 5 V
T J = 150 o C
1
T J = 25 o C
9
T J = 25
o C
T J = -55 o C
0.1
0.01
T J = -55 o C
0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 18. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 19. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS3615S Rev.C6
7
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMS3616S | 功能描述:MOSFET 25V Asymmetric 2xNCh MOSFET PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS3620S | 功能描述:MOSFET 25V Asymtrc Dual NCh MOSFET PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS3622S | 功能描述:MOSFET PowerStage 25V Dual N-Channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS3624S | 功能描述:MOSFET 25V PowerTrench Power Stage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS3626S | 功能描述:MOSFET 25V Dual N-Channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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