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参数资料
| 型号： | FDMS3624S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 11/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V DUAL 8-PQFN |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 N 沟道（双）非对称型 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 17.5A，30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 毫欧 @ 17.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1570pF @ 13V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerTDFN |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Dimensional Outline and Pad Layout
5.10
4.00
0.10 C
5.10
4.90
A
CL
2X
8
PKG
CL
5
B
0.63
1.27 TYP
0.65 TYP
8
7
6
5
2.52
PKG
C L
6.10
5.90
2.15
1.60
0.00
CL
PIN #1
IDENT MAY
A PPEAR AS
OPTIONAL
1
TO P VIEW
4
2X
SEE
DETAIL A
4.16
0.10 C 2.13
0.63
1
2
3
0.59
3.18
4
1.21
KEEP
2.31 OUT
3.15 AREA
RECOM MENDE D LAND PATTERN
SIDE VIEW
0.58
0.38
3.00
2.80
0.70
0.50
0.10
0.05
C A B
C
0.35
6X
1
2
3
4
1.32
1.12
0.71
0.61
NOTES: UNLESS OTHERWIS E SPECIFIED
3.90
3.70
2.25
2.05
A) DOES NOT FULLY CONFORM TO
JEDEC REGISTRA TION, M O-240,
0.58
0.38
0.44
0.24
8
7 6 5
3.81
BOTTO M VIEW
1.02
0.82
1.27
ISSUE B DA TED 10/2009.
B) ALL DIMENSIONS ARE IN
M ILLIMETERS.
C) DIMENSIONS DO NOT INCLUDE
B URRS OR MO LD FLASH. MOLD
FLASH OR BURRS DO ES NO T
EX CE ED 0.10MM.
0.51
D) DIMENSIONING AND TOLERANCING
0.10 C
0.31
PE R ASME Y14.5M-1994.
E) IT IS RECOMM ENDED TO HAVE NO
TRACES OR VIAS WITHIN THE KEEP
OUT AREA.
0.08 C
1.10
0.90
0.30
0.20
DETAIL A
0.05
0.00
F) DRAWING FILE NA ME: PQN08E REV 4.
C
SEA TING
PLANE
(SCALE: 2X)
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS3624S Rev.C2
11
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMS3626S | MOSFET N-CH 25V DUAL 8-PQFN |
| FDMS3660S | MOSFET N-CH 30V DUAL 8-PQFN |
| FDMS3662 | MOSFET N-CH 100V 8.9A POWER56 |
| FDMS3664S | MOSFET N-CH 30V DUAL 8-PQFN |
| FDMS3668S | MOSFET N-CH 30V DUAL 8-PQFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMS3626S | 功能描述:MOSFET 25V Dual N-Channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS3660AS | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:PT7 30/20 & PT8 N S 30/12V IN PQFN56 DUAL - Tape and Reel 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 8QFN 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TAPE REEL / PT7 30/20 & PT8 N S 30/12V in PQFN56 Dual |
| FDMS3660S | 功能描述:MOSFET PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS3660S_F121 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:POWERTRENCH POWERSTAGE ASYMMETRIC DUAL N-CHANNEL MOSFET - Tape and Reel 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 30V DUAL 8-PQFN 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TAPE REEL / PowerTrench PowerStage Asymmetric Dual N-Channel MOSFET |
| FDMS3662 | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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