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参数资料
| 型号： | FDMS7602S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V DUAL POWER56 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A，17A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.5 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 28nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1750pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PQFN，Power56 |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMS7602SDKR |
Typical Characteristics (Q2 SyncFET)
60
V GS = 10 V
5
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
40
V GS = 4.5 V
V GS = 4 V
4
3
V GS = 3 V
V GS = 3.5 V
20
V GS = 3.5 V
PULSE DURATION = 80 μ s
2
1
V GS = 4 V
0
V GS = 3 V
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
0
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
0.0
0.5 1.0 1.5
2.0
0
20
40
60
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 13. On-Region Characteristics
1.6
I D = 17 A
V GS = 10 V
1.4
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 14. Normalized on-Resistance vs Drain
Current and Gate Voltage
20
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
15
I D = 17 A
1.2
10
1.0
0.8
5
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0.6
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 15. Normalized On-Resistance
vs Junction Temperature
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 16. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
60
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
60
V GS = 0 V
40
V DS = 5 V
T J = 125 o C
10
1
T J = 125 o C
20
T J = 25 o C
T J = -55 o C
0.1
T J = 25 o C
T J = -55 o C
0
1.5
2.0 2.5 3.0
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
3.5
0.01
0.0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
1.2
Figure 17. Transfer Characteristics
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS7602S Rev.C1
Figure 18. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMS7608S | MOSFET N-CH 30V DUAL 8-PQFN |
| FDMS7620S | MOSFET N-CH 30V DUAL POWER56 |
| FDMS7650DC | MOSFET N-CH 30V 47A POWER56 |
| FDMS7650 | MOSFET N-CH 30V POWER56 |
| FDMS7656AS | MOSFET N-CH 30V POWER56 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMS7603S | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDMS7606 | 功能描述:MOSFET Dual N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS7608S | 功能描述:功率驱动器IC PT7 Nch 30/20V & PT8 Nch 30/20V RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| FDMS7620S | 功能描述:MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS7620S_F065 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 30V DUAL POWER56 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TAPE REEL / 30/20V Dual N-Channel Power Trench Mosfet |
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