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参数资料
| 型号： | FDMS7602S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V DUAL POWER56 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A，17A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.5 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 28nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1750pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PQFN，Power56 |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMS7602SDKR |
Typical Characteristics (Q2 SyncFET)
10
I D = 17 A
3000
8
6
4
2
V DD = 10 V
V DD = 20 V
V DD = 15 V
1000
C iss
C oss
0
0
10
20
30
40
100 f = 1 MHz
V GS = 0 V
60
0.1
1
C rss
10
30
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 19. Gate Charge Characteristics
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 20. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
R θ JC = 2 C/W
100
80
V GS = 10 V
o
100
10
100 us
1 ms
60
40
V GS = 4.5 V
1
THIS AREA IS
LIMITED BY rDS ( on )
10 ms
100 ms
SINGLE PULSE
1s
20
Limited by package
0.1
T J = MAX RATED
R θ JA = 120 o C/W
T A = 25 o C
10 s
DC
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.01
0.1
1
10
100 200
T C , CASE TEMPERATURE ( C )
o
Figure 21. Maximum Continuous Drain
Current vs Case Temperature
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 22. Forward Bias Safe Operating Area
1000
SINGLE PULSE
R θ JA = 120 o C/W
T A = 25 o C
100
10
10
10
10
10
10
1 -4
10
-3
-2
-1
1
10
2
3
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 23. Single Pulse Maximum Power Dissipation
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS7602S Rev.C1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMS7608S | MOSFET N-CH 30V DUAL 8-PQFN |
| FDMS7620S | MOSFET N-CH 30V DUAL POWER56 |
| FDMS7650DC | MOSFET N-CH 30V 47A POWER56 |
| FDMS7650 | MOSFET N-CH 30V POWER56 |
| FDMS7656AS | MOSFET N-CH 30V POWER56 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMS7603S | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDMS7606 | 功能描述:MOSFET Dual N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS7608S | 功能描述:功率驱动器IC PT7 Nch 30/20V & PT8 Nch 30/20V RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| FDMS7620S | 功能描述:MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS7620S_F065 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 30V DUAL POWER56 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TAPE REEL / 30/20V Dual N-Channel Power Trench Mosfet |
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