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参数资料
| 型号： | FDMS7672AS |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V SYNCFET POWER56 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench®, SyncFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 19A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4 毫欧 @ 18A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 46nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2820pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerTDFN |
| 供应商设备封装： | 8-PQFN（5X6），Power56 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | FDMS7672AS-ND FDMS7672ASTR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
10
3000
8
I D = 18 A
C iss
6
V DD = 10 V
V DD = 20 V
1000
C oss
V DD = 15 V
4
2
100
f = 1 MHz
C rss
V GS = 0 V
0
0
5
10
15
20
25
30
35
50
0.1
1
10
30
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
30
90
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
10
T J = 25 o C
60
V GS = 10 V
T J = 100 o C
30
Limited by Package
V GS = 4.5 V
R θ JC = 2.7 C/W
T J = 125
o C
o
1
0.01
0.1
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
T c , CASE TEMPERATURE ( C )
300
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Case Temperature
3000
100
10
100 μ s
1 ms
1000
100
V GS = 10 V
1
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
10 ms
100 ms
1s
10
10
10
10
10
0.1
0.01
0.01
T J = MAX RATED
R θ JA = 125 o C/W
T A = 25 o C
0.1 1
10
10 s
DC
100200
1 T A = 25 o C
0.5
SINGLE PULSE
R θ JA = 125 o C/W
-4 -3 -2
-1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
FDMS7672AS Rev.C
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| FDMS7682 | 功能描述:MOSFET 30V/20V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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