参数资料
型号: FDMS7672AS
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 5/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V SYNCFET POWER56
标准包装: 3,000
系列: PowerTrench®, SyncFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 19A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 4 毫欧 @ 18A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 46nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2820pF @ 15V
功率 - 最大: 2.5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商设备封装: 8-PQFN(5X6),Power56
包装: 带卷 (TR)
其它名称: FDMS7672AS-ND
FDMS7672ASTR
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
2
1
0.1
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.001
0.01
P DM
t 1
t 2
10
10
R θ JA = 125 C/W
10
10
0.0001
-4
-3
SINGLE PULSE
o
-2
-1
1
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JA x R θ JA + T A
10 100
1000
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (sec)
Figure 13. Junction-to-Ambient Transient Thermal Response Curve
FDMS7672AS Rev.C
5
www.fairchildsemi.com
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