参数资料
型号: FDMS7672AS
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 7/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V SYNCFET POWER56
标准包装: 3,000
系列: PowerTrench®, SyncFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 19A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 4 毫欧 @ 18A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 46nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2820pF @ 15V
功率 - 最大: 2.5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商设备封装: 8-PQFN(5X6),Power56
包装: 带卷 (TR)
其它名称: FDMS7672AS-ND
FDMS7672ASTR
Dimensional Outline and Pad Layout
FDMS7672AS Rev.C
7
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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参数描述
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FDMS7678 功能描述:MOSFET 30V/20V N-Ch PowerTrench SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDMS7680 功能描述:MOSFET 30/20V Nch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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FDMS7682 功能描述:MOSFET 30V/20V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube