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参数资料
| 型号： | FDMS86201 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 120V POWER56 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 120V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11.5 毫欧 @ 11.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 46nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2735pF @ 60V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PQFN，Power56 |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMS86201DKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
160
3.0
V GS = 10 V
V GS = 6 V
V GS = 5.5 V
120
2.5
V GS = 4.5 V
V GS = 5 V
V GS = 5.5 V
80
V GS = 5 V
2.0
V GS = 4.5 V
1.5
V GS = 6 V
40
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
1.0
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V GS = 10 V
0
0.5
0
1
2
3
4
5
0
40
80
120
160
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On Region Characteristics
2.2
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
40
2.0
1.8
1.6
I D = 11.6 A
V GS = 10 V
30
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
I D = 11.6 A
1.4
20
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
10
0
T J = 125 o C
T J = 25 o C
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On Resistance
vs Junction Temperature
160
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
200
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
100
V GS = 0 V
120
V DS = 5 V
10
T J = 150 o C
80
1
T J = 25 o C
T J = 150
o C
T J = 25 o C
0.1
40
0
T J = -55 o C
0.01
0.001
T J = -55 o C
1
2
3
4
5
6
7
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS86201 Rev . C2
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMS86250 | MOSFET N-CH 150V 6.7A 8-PQFN |
| FDMS86252 | MOSFET N-CH 150V 16A POWER56 |
| FDMS86300DC | MOSFET N CH 80V 24A 8-PQFN |
| FDMS86300 | MOSFET N-CH 80V 19A POWER56 |
| FDMS86310 | MOSFET N-CH 80V 17A 8-PQFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMS86202 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:PT5 120/20V NCH POWER TRENCH MOSFET - Tape and Reel |
| FDMS8622 | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS86250 | 功能描述:MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS86252 | 功能描述:MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS86252L | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 150V 8-MLP 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET 150V N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TAPE REEL / 150/20V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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