参数资料
型号: FDMS86201
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 6/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 120V POWER56
标准包装: 1
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 120V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 11.6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 11.5 毫欧 @ 11.6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 46nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2735pF @ 60V
功率 - 最大: 2.5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-PQFN,Power56
供应商设备封装: Power56
包装: 标准包装
其它名称: FDMS86201DKR
Dimensional Outline and Pad Layout
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS86201 Rev . C2
6
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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