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参数资料
| 型号： | FDN304P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Wire Bonding Change 07/Nov/2008 Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | SuperSOT-3, SOT-23 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 52 毫欧 @ 2.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1312pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 460mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | 3-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1602 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDN304PDKR |
Typical Characteristics
15
V GS = -4.5V
4
12
9
-3.0V
-2.5V
-2.0V
-1.8V
3.5
3
2.5
V GS = -1.5V
6
2
-1.8V
-2.0V
3
-1.5V
1.5
1
-2.5V
-3.0V
-4.5V
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0.5
0
3
6
9
12
15
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
1.5
0.14
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
1.4
I D = -2.4A
V GS = -4.5V
0.12
I D = -1.2 A
1.3
T A = 125 C
T A = 25 C
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.1
0.08
0.06
0.04
o
o
0.7
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.02
1
2
3
4
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
15
o
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
100
25 C
V DS = - 5V
T A =
o
10
V GS = 0V
12
-55 C
T A = 125 C
25 C
9
o
1
0.1
o
o
-55 C
6
3
0
0.01
0.001
0.0001
o
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDN304P Rev C(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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