参数资料
型号: FDN342P
厂商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩ MOSFET
中文描述: 2000 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封装: SUPERSOT-3
文件页数: 4/8页
文件大小: 307K
代理商: FDN342P
"
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($
)*+##"$,
-".*+##
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#$/
-
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
T
R (t) = r(t) * R
R = 270
°
C/W
Duty Cycle, D = t /t
2
T - T = P * R JA
P(pk)
t
1
t
2
r
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
0
0.0001
4
8
12
16
20
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
=270
o
C/W
T
A
=25
o
C
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
-
G
,
I
D
= -2A
V
DS
= -5V
-10V
-15V
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
-V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
DC
10s1s
100ms
10ms
1ms
V
GS
= -4.5V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 270
o
C/W
T
A
= 25
o
C
R
DS(ON)
LIMIT
0
200
400
600
800
1000
0
5
10
15
20
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
ISS
C
RSS
C
OSS
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
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