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参数资料
| 型号： | FDN352AP |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 1.3A SSOT-3 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | SuperSOT-3, SOT-23 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 180 毫欧 @ 1.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.9nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 150pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 460mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | 3-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1602 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDN352APDKR |
Typical Characteristics
10
V GS = -10V
2.4
2.2
V GS = -4.0V
8
2.0
6
-6.0V
1.8
-4.5V
-5.0V
1.6
4
-4.5V
-4.0V
1.4
-6.0V
-7.0V
-8.0V
1.2
-10V
2
-3.5V
-3.0V
1.0
0
0.8
0
1
2 3
4
5
0
2
4 6
8
10
1.4
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
I D = -0.9A
V GS = -10V
0.7
0.6
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
I D = -0.45A
1.2
0.5
1
0.8
0.6
0.4
0.3
0.2
0.1
T A = 25 o C
T A = 125 o C
-50
-25
0 25 50 75 100
125
150
2
4 6 8
10
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
V DS = -5V
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
100
V GS = 0V
8
T A = -55 o C
10
125 C
6
o
1
T A = 125 o C
25 C
4
o
0.1
25 o C
0.01
-55 o C
2
0
0.001
0.0001
1
2
3 4 5 6
7
8
0.0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
1.4
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
FDN352AP Rev. C1
3
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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