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参数资料
| 型号： | FDN352AP |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 1.3A SSOT-3 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | SuperSOT-3, SOT-23 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 180 毫欧 @ 1.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.9nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 150pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 460mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | 3-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1602 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDN352APDKR |
Typical Characteristics
10
8
I D = -0.9A
V DS = -10V
200
150
f = 1 MHz
V GS = 0 V
6
-20V
C iss
100
-15V
4
C oss
50
2
C rss
0
0
0
0.5
1 1.5 2
2.5
3
0
5
10
15
20
25
30
100
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
50
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
SINGLE PULSE
10
100μs
40
R θ JA = 270 ° C/W
T A = 25 ° C
R DS(ON) LIMIT
1ms
30
1
10ms
100ms
1s
20
0.1
V GS = -10V
SINGLE PULSE
R θ JA = 270 o C/W
10s
DC
10
T A = 25 C
o
0.01
0
0.1
1 10
100
0.0001
0.001
0.01
0.1 1
10
100
1000
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
t 1 , TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
D = 0.5
0.2
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
0.1
0.1
0.05
0.02
R θ JA = 270 ° C/W
P(pk)
0.01
0.01
t 1
t 2
T J – T A = P * R θ JA (t)
0.001
SINGLE PULSE
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDN352AP Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
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