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参数资料
| 型号： | FDN357N |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | SuperSOT-3, SOT-23 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 2.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.9nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 235pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 460mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | 3-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1602 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDN357NDKR |
Typical Electrical Characteristics
10
8
V GS = 10V
6.0
5.0
4.5
4.0
1.8
1.6
V GS =3.5V
1.4
6
3.5
1.2
4.0
4
1
4.5
5.0
2
3.0
0.8
6.0
7.0
10
0.6
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0.4
0
2
4
6
8
10
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics .
1.6
I D = 1.9A
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate
0.25
I D =0.95A
1.4
1.2
V GS = 4.5V
0.2
0.15
1
0.8
0.1
0.05
T A = 25°C
T A = 125°C
0.6
-50
-25
0 25 50 75 100
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
J
125
150
0
2
4 6 8
V GS ,GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature .
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
14
12
V DS = 10V
T A = -55°C
25°C
125°C
10
V GS = 0V
10
8
6
4
2
1
0.1
0.01
0.001
T J = 125°C
25°C
-55°C
0
1
2
3
4
5
6
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
FDN357N Rev.C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDN358P | MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3 |
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| FDN360P | MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3 |
| FDN361BN | MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDN357N | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-23 |
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| FDN357N_Q | 功能描述:MOSFET SSOT-3 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDN358 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| FDN358P | 功能描述:MOSFET SSOT-3 P-CH -30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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