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参数资料
| 型号： | FDN357N |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | SuperSOT-3, SOT-23 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 2.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.9nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 235pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 460mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | 3-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1602 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDN357NDKR |
Typical Electrical And Thermal Characteristics
10
I D = 1.9A
V DS = 5V
600
8
6
10V
15V
300
200
Cis s
C oss
100
4
50
2
f = 1 MHz
V GS = 0 V
C rss
0
0
2
4
6
8
20
0.1
0.2
0.5 1 2 5 10
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
30
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
20
50
Figure 8. Capacitance Characteristics .
S(O
LIM
1m
10
5
RD
N)
IT
10m
s
s
40
SINGLE PULSE
R θ JA =250° C/W
T A = 25°C
1
0.5
1 0 0
1s
10s
ms
30
20
0.1
0.05
V GS = 10V
SINGLE PULSE
R θ JA = 250°C/W
DC
10
0.01
T A A = 25°C
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100 300
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
SINGLE PULSE TIME (SEC)
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
1
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
0.5
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.2
0.1
0.05
0.02
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 250 °C/W
P(pk)
0.02
0.01
0.01
Single Pulse
t 1
t 2
0.005
0.002
0.001
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 /t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
300
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Note: Thermal characterization performed using the conditions described in note 1a.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDN357N Rev.C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDN358P | MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3 |
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| FDN360P | MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3 |
| FDN361BN | MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDN357N | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-23 |
| FDN357N | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:30V N-CH. FET 60 MO SSOT3 |
| FDN357N_Q | 功能描述:MOSFET SSOT-3 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDN358 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| FDN358P | 功能描述:MOSFET SSOT-3 P-CH -30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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